超高帶寬的動態隨機存儲器問世

業界 | 2021-11-03 09:17:02
時間:2021-11-03 09:17:02   /   來源: 科技日報      /   點擊數:()

科技日報訊 (記者邰舉)韓國SK海力士日前宣布,該公司開發成功HBM3動態隨機存取存儲器(DRAM),每秒能夠處理819GB的數據,內置ECC校檢。

該HBM3DRAM將以16GB和24GB兩種容量上市。其中24GB是業界目前最大容量。在24GB產品中,單品DRAM芯片的高度被磨削到約30μm,使用TSV技術垂直連接12個芯片。

HBM3被稱為第四代HBM,由多個垂直連接的DRAM芯片堆疊而成,能夠創新性地提高內存帶寬。

SK海力士2020年7月在業界最先開始量產HBM2DRAM。SK海力士強調,將繼續鞏固高端存儲器市場領導力,提供符合ESG(環境、社會、公司治理)經營理念的產品,盡最大努力提高客戶價值。

圖為HBM3DRAM產品封裝。

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